FORNELL Componentes Eletrônicos

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Descrição:

O Módulo IGBT MG15N6ES42 é um dispositivo de potência semicondutor projetado para aplicações de controle e acionamento de alta potência. Ele combina a tecnologia do Transistor Bipolar de Porta Isolada (IGBT) com a funcionalidade de um diodo de roda livre integrado.

Especificações Técnicas:

Características Elétricas:

Tensão de coletor-emissor (Vces): 600V

Corrente de coletor contínua (Ic): 15A

Tensão de saturação do coletor-emissor (Vce(sat)): 2.3V (máx.) a 25°C

Tensão de saturação do coletor-emissor (Vce(sat)): 3.1V (máx.) a 150°C

Corrente de base contínua (Ib): 5A

Tensão de limiar de entrada (VGE(th)): 5V (máx.)

Capacitância de entrada (Cies): 1.6nF

Capacitância de saída (Coes): 0.26nF

Capacitância de transferência (Cres): 0.6nF

Características Térmicas:

Resistência térmica do junction-case (Rth(j-c)): 1.15°C/W

Resistência térmica do junction-ambiente (Rth(j-a)): 62°C/W

Temperatura máxima de junção (Tjmax): 150°C

Temperatura de operação (Topr): -40°C a 150°C

Características Mecânicas:

Encapsulamento: Módulo DBC (Direct Bonded Copper)

Peso: 15g

Dimensões: Consulte o datasheet oficial para obter informações detalhadas sobre as dimensões do módulo.

Características de Proteção:

Proteção contra curto-circuito (SC: Short-Circuit)

Proteção contra sobretensão (OVP: Over-Voltage Protection)

Proteção contra sobrecorrente (OCP: Over-Current Protection)

Proteção contra superaquecimento (OTP: Over-Temperature Protection)

Proteção contra corrente reversa (RC: Reverse Current Protection)

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Perguntas frequentes:

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