Características Principais:

Modelo: 2MBI300UE-120-50

Tipo de dispositivo: Módulo IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada)

Tensão de coletor-emissor (Vce): 1200V

Corrente de coletor contínua (Ic): 300A

Corrente de coletor de pico (Icp): 600A

Tensão de gate-emissor (Vge): ±20V

Tensão de isolamento (Viso): 2500V

Temperatura de operação (Tj): -40°C a 150°C

Tempo de subida do gate (tgr): 120 ns

Tempo de queda do gate (tgd): 150 ns

Tempo de armazenamento (ts): 400 ns

Tipo de montagem: Módulo

Configuração do transistor: N-Channel (Canal N)

Especificações Elétricas:

Tensão de bloqueio direta (Vf): 2,7V

Corrente direta máxima (If): 300A

Tensão de saturação do coletor-emissor (Vce(sat)): 2,5V

Tensão de limiar do gate (Vth): 6V

Capacitância de entrada (Cies): 15 nF

Capacitância de saída (Coes): 2,8 uF

Capacitância de transferência (Cres): 0,8 uF

Resistência térmica do case ao dissipador (RthJC): 0,1 °C/W

Características Mecânicas:

Configuração do encapsulamento: Módulo

Tipo de encapsulamento: Pacote F

Peso: Aproximadamente 400 g

Recursos Adicionais:

Proteção contra curto-circuito

Proteção contra sobretensão

Proteção contra sobrecorrente

Alta velocidade de comutação

Baixa perda de comutação

Baixa perda de condução

Baixa dissipação de calor

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Perguntas frequentes:

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