O KVR26N19S6/8 da Kingston e um modulo de memoria DDR4-2666 1G x 64 bits (8GB) CL19 SDRAM (DRAM sincrona), 1Rx16, com base em quatro componentes FBGA 1G x 16bits.

O SPD e programado para latencia padrao JEDEC DDR4-2666 tempo de 19-19-19 a 1.2V. Cada DIMM de 288 pinos utiliza contatos de ouro.

Especificaçoes:
Marca: Kingston
Modelo: KVR26N19S6/8
Fonte de alimentaçao: VDD = 1,2 V tipica
VDDQ = 1,2 V tipico
VPP = 2,5 V tipico
VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
Terminaçao nominal e dinamica na matriz (ODT) para dados, strobe e sinais de mascara
Auto-atualizaçao de baixa potencia (LPASR)
Inversao de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
Geraçao e calibraçao de VREFDQ na matriz
Single-rank
EEPROM de detecçao de presença serial I2 on-board (SPD)
8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada
Corte de burst fixo (BC) de 4 e comprimento de burst (BL) de 8 atraves do conjunto de registro de modo (MRS)
Selecionavel BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF)
Topologia fly-by
Comando de controle terminado e barramento de endereço
PCB: Altura 1,23 (31,25 mm)
Compativel com RoHS e livre de halogenio
CL (IDD): 19 ciclos
Tempo de ciclo de linha (tRCmin): 45,75ns (min.)
Tempo de comando de refresh (tRFCmin): 350ns (min.)
Tempo de linha ativa (tRASmin): 32ns (min.)
Classificaçao UL: 94 V-0
Temperatura de operaçao: 0C a +85C
Temperatura de armazenamento: -55C a +100C.

Garantia: 12 meses